(台灣桃園 6 月 3 日) 因應手持裝置往輕、薄、短、小及節能的發展趨勢,合晶科技領先切入 12 吋超低電阻矽晶圓技術,於五月份成功拉出大中華區第一支 12 吋 (300mm) 超低電阻 (重摻砷) 矽晶棒,在重摻技術領域寫下新的里程碑。
晶體成長方式 | CZ (柴氏長晶法) |
晶向 | <100> |
直徑 | 300mm |
型別/摻質 | N type / 砷 |
電阻 | 0.0025 ~ 0.004 Ohm-cm |
(台灣桃園 6 月 3 日) 因應手持裝置往輕、薄、短、小及節能的發展趨勢,合晶科技領先切入 12 吋超低電阻矽晶圓技術,於五月份成功拉出大中華區第一支 12 吋 (300mm) 超低電阻 (重摻砷) 矽晶棒,在重摻技術領域寫下新的里程碑。
晶體成長方式 | CZ (柴氏長晶法) |
晶向 | <100> |
直徑 | 300mm |
型別/摻質 | N type / 砷 |
電阻 | 0.0025 ~ 0.004 Ohm-cm |